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第一部分 信號完整性知識基礎第一章 高速數(shù)字電路概況1.1 何為高速電路1.2 高速帶來的問題及設計流程剖析1.3 相關的一些基本概念第二章 傳輸線理論2.1 分布式系統(tǒng)和集總電路2.2 傳輸線的RLCG 模型和電報方程2.3 傳輸線的特征阻抗2.3.1 特性阻抗的本質2.3.2 特征阻抗相關計算2.3.3 特性阻抗對信號完整性的影響2.4 傳輸線電報方程及推導2.5 趨膚效應和集束效應2.6 信號的反射2.6.1 反射機理和電報方程2.6.2 反射導致信號的失真問題2.6.2.1 過沖和下沖2.6.2.2 振蕩:2.6.3 反射的抑制和匹配2.6.3.1 串行匹配2.6.3.1 并行匹配2.6.3.3 差分線的匹配2.6.3.4 多負載的匹配第三章 串擾的分析3.1 串擾的基本概念3.2 前向串擾和后向串擾3.3 后向串擾的反射3.4 后向串擾的飽和3.5 共模和差模電流對串擾的影響3.6 連接器的串擾問題3.7 串擾的具體計算3.8 避免串擾的措施
第四章 EMI 抑制4.1 EMI/EMC 的基本概念4.2 EMI 的產(chǎn)生4.2.1 電壓瞬變4.2.2 信號的回流4.2.3 共模和差摸EMI4.3 EMI 的控制4.3.1 屏蔽4.3.1.2 磁場屏蔽4.3.1.3 電磁場屏蔽4.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率4.3.2 濾波4.3.2.1 去耦電容4.3.2.3 磁性元件4.3.3 接地4.4 PCB 設計中的EMI4.4.1 傳輸線RLC 參數(shù)和EMI4.4.2 疊層設計抑制EMI4.4.3 電容和接地過孔對回流的作用4.4.4 布局和走線規(guī)則第五章 電源完整性理論基礎5.1 電源噪聲的起因及危害5.2 電源阻抗設計5.3 同步開關噪聲分析5.3.1 芯片內部開關噪聲5.3.2 芯片外部開關噪聲5.3.3 等效電感衡量SSN5.4 旁路電容的特性和應用5.4.1 電容的頻率特性5.4.3 電容的介質和封裝影響5.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振5.4.4 如何選擇電容5.4.5 電容的擺放及Layout第六章 系統(tǒng)時序6.1 普通時序系統(tǒng)6.1.1 時序參數(shù)的確定6.1.2 時序約束條件
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高速PCB基礎理論及內存仿真技術
目錄:
第一部分 信號完整性知識基礎
第一章 高速數(shù)字電路概況
1.1 何為高速電路
1.2 高速帶來的問題及設計流程剖析
1.3 相關的一些基本概念
第二章 傳輸線理論
2.1 分布式系統(tǒng)和集總電路
2.2 傳輸線的RLCG 模型和電報方程
2.3 傳輸線的特征阻抗
2.3.1 特性阻抗的本質
2.3.2 特征阻抗相關計算
2.3.3 特性阻抗對信號完整性的影響
2.4 傳輸線電報方程及推導
2.5 趨膚效應和集束效應
2.6 信號的反射
2.6.1 反射機理和電報方程
2.6.2 反射導致信號的失真問題
2.6.2.1 過沖和下沖
2.6.2.2 振蕩:
2.6.3 反射的抑制和匹配
2.6.3.1 串行匹配
2.6.3.1 并行匹配
2.6.3.3 差分線的匹配
2.6.3.4 多負載的匹配
第三章 串擾的分析
3.1 串擾的基本概念
3.2 前向串擾和后向串擾
3.3 后向串擾的反射
3.4 后向串擾的飽和
3.5 共模和差模電流對串擾的影響
3.6 連接器的串擾問題
3.7 串擾的具體計算
3.8 避免串擾的措施
第四章 EMI 抑制
4.1 EMI/EMC 的基本概念
4.2 EMI 的產(chǎn)生
4.2.1 電壓瞬變
4.2.2 信號的回流
4.2.3 共模和差摸EMI
4.3 EMI 的控制
4.3.1 屏蔽
4.3.1.2 磁場屏蔽
4.3.1.3 電磁場屏蔽
4.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率
4.3.2 濾波
4.3.2.1 去耦電容
4.3.2.3 磁性元件
4.3.3 接地
4.4 PCB 設計中的EMI
4.4.1 傳輸線RLC 參數(shù)和EMI
4.4.2 疊層設計抑制EMI
4.4.3 電容和接地過孔對回流的作用
4.4.4 布局和走線規(guī)則
第五章 電源完整性理論基礎
5.1 電源噪聲的起因及危害
5.2 電源阻抗設計
5.3 同步開關噪聲分析
5.3.1 芯片內部開關噪聲
5.3.2 芯片外部開關噪聲
5.3.3 等效電感衡量SSN
5.4 旁路電容的特性和應用
5.4.1 電容的頻率特性
5.4.3 電容的介質和封裝影響
5.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振
5.4.4 如何選擇電容
5.4.5 電容的擺放及Layout
第六章 系統(tǒng)時序
6.1 普通時序系統(tǒng)
6.1.1 時序參數(shù)的確定
6.1.2 時序約束條件
...
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