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如何優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)以最大限度提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能?基于最近的趨勢(shì)，提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo)，為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級(jí)結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級(jí)結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。
2015/07/24
7755- MOS 集成電路使用操作準(zhǔn)則所有 MOS 集成電路 （包括 P 溝道 MOS， N 溝道 MOS， 互補(bǔ) MOS — CMOS 集成電路） 都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是 25nm 50nm 80nm 三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行保護(hù)，雖然如此...2014/07/286212
